第3134章全球SPIE微光刻会议

    第3134章全球SPIE微光刻会议(第1/2页)
    在赵长安看来，要说这些世界一流的企业里面，没有一点明白人，那是根本就不可能的事情，而是这些明白人根本就没有足够的话语权。
    更重要的是sony，Panasonic，aiwa这些企业在个人便携式音乐播放器市场，尤其是中高端市场，以及形成了世界性的垄断地位，手握着大量的技术专利实体工厂，以及多年以来持续性的方向研究和数以亿美元计数的投资资金。
    假如选择进入mp3市场，就等于一夜之间他们大量的工厂，数以万计的员工，以及积累了几十年的大量专利，几乎全部被清零。
    这种等于壮士断腕的事情，基本上正常人都很难轻易的做到。
    只有到了未来，随着mp3制式在世界音乐播放器市场形成不可阻挡的趋势和洪流，这些老大帝国的企业才会不得不痛苦的在现实面前低头。
    这种情况用在目前新一代光刻机的研发上面也是如此，现在世界光刻机巨头是Nikon和Canon，都依然在豪赌步进式光刻机。
    而新进的造机新势力ASML，更是在老美的牵头下，发誓要在新一代的光刻机领域，打破Nikon和Canon的技术和市场垄断，让欧美人也拥有世界最高科技前沿的光刻机企业。
    目前Nikon和Canon，在157nm深紫外激光波（DUV）步进式光刻机的研发上面，已经投入了几十亿美元，虽然处于世界领先地位，不过157nm的光会被现在所用的193nm镜片吸收，穿透率低，无论是镜片还是光刻胶都需要重新的研发配适，同时氧气对157nm光波吸收性很强，——这么一大堆的问题，都是目前世界上这几家（DUV）步进式光刻机在研发下一代光刻里面遇到的难题需要客服。
    而且即使能够实现良品率的量产，157nm的DUV也只能把解析度提高23%，而对于之后的下一代光刻机，这似乎已经成了走到科技树极限的死胡同。
    只不过因为前面天量的投资，使得Nikon和Canon明知道157nm的DUV很有可能已经做到了这一方向的制程极限，然而那句话‘超前一步是天才，超前几步是疯子’的箴言，他们显然都很信奉，却依然在拼命的豪赌。
    原因很简单，只有这么做他们才能依然保持着行业垄断，同时收回前期投入的几十亿美元的资金。
    这个情况就像现在的个人便携式音乐播放器市场，他们不是不明白新技术的优势和代表着产品的未来方向。
    而是不愿意新技术现在就在市场上蚕食他们的份额，更不愿意一切重来的推倒炉灶。
    而且即使在研发157nm的DUV光刻机的时候，这两家公司也在多电子束，离子流技术，甚至浸没式光刻技术光刻技术，等等研发领域悄悄的组建了研究机构，并且大量的提前申请布局专利壁垒。
    就比如在三年前的99年3月16日，Nikon公司就向专利局提交了浸没式光刻技术专利申请，专利名称是“Projectionexposuremethodandsystem”。该PCT国际公开日是99年9月30日，国际公开号：WO99/49504。
    可以说是相当的鸡贼。
    包括和ASML合作的麻省理工学院（MIT）林肯实验室，也在157nmDUV上努力的给ASML助力。
    不过他们研究的方向有别于Nikon和Canon在纯氮气中进行157nm光波雕刻，而是选择了离子水（纯化水）状态下的157nm浸没实验。
    这个实验大致和Nikon的浸没式光刻技术专利差不多，都是研究在纯净水状态下157nmDUV的雕刻性能。
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    就在几天前的全球SPIE微光刻会议上，MIT做出研发报告157nm浸没实验的结果。
    “在去离子水（纯化水）状态下的浸没实验，157nmDUV依然有着在纯氮环境下的诸多问题无法解决。然而对于193nm的曝光是足够透明的，在193nm浸没的情况下157nm问题常见的普遍困难都不存在，几乎等同于现今处于干式介质中193nm步进式光刻机效果。”
    MIT的这份报告，让现场与会的全球微影领域的顶尖大拿们纷纷失望不已，也就是在这个报告出来了以后，这几天世界微光刻领域对浸没式光刻技术纷纷发表了类似于‘至少现今技术还不成熟’的观点。
    这个观点，有着这些微光刻领域专家们的真实的想法，更有着Nikon和Canon为了能继续保持在这个领域的权威和垄断，以及已经砸进去几十亿美元的游说和新闻引导。
    在这个会议上，林博士也参加了这场会议，会议的主持方要求他发言‘浸润式微影技术’。
    “由于NA已经大于0.9，并且随着NA的进一步增加而回报递减，浸没式光刻可能是额外节点的关键。浸没式光刻的关键是具有在光学波长中具有足够的透射性，并且对透镜和抗蚀剂表面是惰性的。开始研究浸没流体是相对便宜的。一旦确定了流体，就必须解决许多问题；即，抗蚀剂的脱气，曝光或扫描过程中流体折射率的不均匀、流体的摩擦导致的扫描速度减慢，以及潮湿环境的混乱。——”
    这时候赵长安手里面拿的一份文件，就是在这次全球SPIE微光刻会议上，各个专家级权威的发言。
    其中他看了林博士的发言的时间最长，对于别的专家的发言，基本上都是快速的浏览。
    对于赵长安前一世这个会议上林博士的发言，赵长安没有看到过，因为那个时候他怎么可能对这种枯燥的技术发言感兴趣。
    而现在他则是翻来覆去的看这篇很短的发言，看了半天，感觉他好像啥都没有说。
    其实在这个会议上，真正最具备含金量的在赵长安看来，是MIT研发报告里面提到的那句‘在193nm浸没的情况下157nm问题常见的普遍困难都不存在，几乎等同于现今处于干式介质中193nm步进式光刻机效果。’
    这句话里面暗含着一个重大的，如同窗户纸一样，却直到03年7月才开始被Sematech（m国半导体制造技术联盟，成员包括m国防部、能源部、国家实验室、国家科学委员会、国家标准及技术院、MIT，得州大学，ASML，——）捅破。
    就是既然193nm在浸没式液体之中既然依然是那么的稳定，为什么一定要使用难题很多的157nm作为浸没式光源，为什么就不能依然用193nm。
    而现在所有人都这么认为，既然193nm在干式介质就已经很稳定，为什么要脱了裤子放屁，要把它放在液态流体之中多此一举？
    这里面唯一所欠缺的一个几乎这些技术人员都知道的常识要素，没有被他们考虑进去，就是液体和干式介质之间，不同的折射率。
    实际上在赵长安的前一世，林博士在自传中说到，他在不久前的SPIE微光刻，发表了很具有重量级的发言。
    “我在研讨会发表用水配合193纳米，能比干式的157纳米多增进一世代，而且比后者容易开发。结果全场轰动。我演讲后，所有交谈的时间大家都在讨论这个题目。”
    实际上，似乎真的没有这个事实，因为他的发言人家留有录音，这个可真是做不得假。

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